High-Affinity Ligand-Enhanced Passivation of Group III–V Colloidal Quantum Dots for Sensitive Near-Infrared Photodetection
본 연구는 InAs 콜로이드 양자점을 위한 Sn 기반 금속 할로겐화물 리간드를 탐구하여 SnBr2 리간드가 InAs-CQD 기반 광다이오드의 광응답 성능을 향상시켜 지금까지 보고된 것 중 가장 높은 외부 양자 효율과 감도를 달성하여 에너지 분야의 우수한 학술지인 ACS Energy Letters에 게재됨.