신소재공학부 이경진 교수의 '차세대 자성메모리(MRAM) 핵심 소재 개발 성공' 이
한국과학기술단체총연합회에서 선정한 2016년 '올해의 10대 과학기술뉴스'에 선정되었습니다.
한국과학기술단체총연합회는 총 3차례의 선정위원회 심의와 총 6148명의 과학기술인 및 일반인 투표를 반영해
'올해의 10대 과학기술 뉴스'를 선정했다고 22일 밝혔습니다.
관련보도 : http://www.dt.co.kr/contents.html?article_no=2016122202109976788003
차세대 자성메모리(MRAM) 핵심 소재 개발 성공
< 핀궤도토크(SOT) 기반 자성메모리(MRAM)의 개략도. 반강자성(IrMn)/강자성(CoFeB) 계면에 존재하는 교환결합을 이용하여 외부자기장 없이 소자구동 가능함, 반강자성 물질(IrMn) 내부에는 전자의 스핀이 인접한 스핀과 균일하게 반대로 정렬되어 있음 (제공 : 미래부) >
차세대 메모리의 기능을 높일 수 있는 핵심 소재가 새로 개발됐다. 이번 소재기술 개발은 현재 이용하고 있는 메모리의 10분의 1 정도 전력으로 구동 가능한 차세대 반도체의 상용화 기대를 높였다는 평가를 받고 있다. 메모리는 데이터를 저장하는 부품이다.
박병국 한국과학기술원(KAIST) 교수와 이경진 고려대 교수 공동연구팀이 차세대 자성(자석의 성질) 메모리(MRAM)의 동작 속도를 높이고 동시에 집적도(데이터 용량의 크기)도 높일 수 있는 기술을 개발하는데 성공했다.
MRAM은 기존 실리콘 반도체 메모리와 달리 얇은 자성 박막으로 만든 메모리다. 외부에서 전원을 공급하지 않아도 정보를 유지할 수 있는 비휘발성 메모리이고 동작 속도 역시 빨라 '체세대 메모리'로 주목받고 있다. 따라서 여러 반도체 업계에서 경쟁적으로 기술을 개발하고 있다.
연구진은 이번 연구에서 MRAM에 이리듐-망간(IrMn) 합금과 같은 새로운 소재를 도입했다. 그 결과 기존 기술로 만들었을 때보다 메모리의 동작 속도는 10배 이상 빠르고 동시에 집적도를 높일 수 있는 것으로 확인됐다. 기존 기술로는 동작 속도를 높이면 집적도가 떨어지는 문제가 있었는데 이를 극복한 것이다. 이번 연구결과는 국제학술지 네이처 나노테크놀로지에 실렸다